CVD
Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine Technik um Substrate mit dünnen Schichten zu versehen. Dabei wird die Schicht aus der Gasphase durch chemische Reaktionen abgeschieden.
Funktionsprinzip
Klassische CVD
Das Substrat wird geheizt während ein Gas über seine Oberfläche strömt. Durch die Temperatur reagieren die Gasmoleküle an der Oberfläche. Mit der Zeit lagern sich mehr und mehr Moleküle an und eine Beschichtung entsteht.
CVD kann unter verschiedenen Bedingungen durchgeführt werden (unter Atmosphärendruck, im Vakuum usw.).
Plasmaunterstützte CVD (PECVD)
Die Reaktionsenergie wird statt über Temperatur über ein Plasma zugeführt. Ein Plasma enthält Ionen, die elektrisch auf das Substrat beschleunigt werden können. Die Vorteile im Vergleich zur klassischen CVD sind:
- Die Prozesstemperatur ist niedrig genug um auch temperatur-empfindliche Kunststoffe beschichten zu können.
- Es sind höhere Beschichtungsraten möglich
- Die Ionen können so stark beschleunigt werden, dass sie eine Hartstoffschicht bilden. Beispielsweise kann so in einem Kohlen-wasserstoff-Plasma eine Schicht aus diamant-ähnlichem Kohlenstoff (DLC) abgeschieden werden
- Auf Kunststoffen sind die Schichten chemisch an die Oberfläche gebunden und haben daher eine optimale Haftung
Plasma Electronic bietet folgende PECVD-Beschichtungen an:
- Diamant-ähnlicher Kohlenstoff (DLC)
- Verschiedene Plasmapolymere
- SiOx
- SiNx
Wir entwickeln alle PECVD-Prozesse ganz nach Ihren Bedürfnissen. Kontaktieren Sie uns!